우리법원 주요판결
| 제목 | [특허]FinFET 소자 및 그 제조방법 등록무효 사건(특허법원 2023허12633) | ||||
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| 작성자 | 특허법원 [대전] | 작성일 | 2025.02.13 | 조회 | 2451 |
| 첨부파일 | 2023허12633.pdf | ||||
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【판시사항】 1. 선행 확정심결에서 제출되지 아니하였던 새로운 증거가 신규성 또는 진보성 부정과 관련한 독립적인 선행발명으로 제출된 경우, 새로 제출된 증거가 선행 확정심결에서 제출된 증거와 그 내용에 있어 실질적으로 동일하지 않는 이상 새로 제출된 증거가 확정심결을 번복할 수 있는지와 무관하게 새로운 증거가 제출된 것으로 보아야 하는지 여부(소극) 2. 심판 청구가 심결 시를 기준으로 일사부재리 원칙에 위반되지 않더라도, 심판 청구인의 주장 중 일부가 선행 확정심결에서 판단이 이루어진 청구원인과 공통되는 경우(동일사실 및 동일증거), 선행 확정심결에서 판단이 이루어진 청구원인과 공통되는 주장에 관하여 전에 확정된 심결의 증거에 대한 해석을 다르게 하는 것이 허용되는지 여부(소극) 3. 이중-게이트 FinFET 소자 및 그 제조방법에 관한 이 사건 특허발명 중 청구범위 제1, 8항은 신규성 또는 진보성이 부정되어 무효로 판단하고, 청구범위 제14항은 선행발명들의 조합에 의해 진보성이 부정되지 아니하여 유효로 판단한 사안 【판결요지】 심결 일부 취소(이 사건 제1, 8항에 관한 부분 취소) 1. 일사부재리 원칙 위반 여부 이 사건 심판 청구에서 이 사건 제1, 8, 14항 발명의 신규성 또는 진보성 부정의 근거로 제출된 주된 선행발명인 선행발명 1, 2, 3은 선행 확정심결에서 신규성 또는 진보성 부정의 근거로 제출되지 아니하였던 새로운 증거에 해당한다. 선행 확정심결에서 이미 제출된 증거에 부수적인 증거가 부가되는 경우와는 달리 선행 확정심결에서 제출되지 아니하였던 새로운 증거가 신규성 또는 진보성 부정과 관련한 독립적인 선행발명으로 제출된 경우에는, 새로 제출된 증거가 선행 확정심결에서 제출된 증거와 그 내용에 있어 실질적으로 동일하지 않는 이상 새로 제출된 증거가 확정심결을 번복할 수 있는지와 무관하게 새로운 증거가 제출된 것으로 보아야 하므로, 이 경우 구 특허법 제163조의 일사부재리 원칙이 적용되지 않는다. 2. 일사부재리 원칙의 관점에서 이 사건 소송에서 추가된 일부 주장에 대한 판단 이 사건 소송 단계에서 새롭게 추가된 원고의 주장 중 일부는 아래에서 살펴보는 바와 같이 선행 확정심결에서 판단이 이루어진 청구원인과 공통된다. 이 경우에는 일사부재리의 원칙 위배 여부의 관점에서 그 확정된 심결을 번복할 수 있을 정도로 유력한 증거가 새로이 제출되었는지를 따져 종전 심결에서와 다른 결론을 내릴 것인지를 판단하여야 하는바, 선행 확정심결에서 판단이 이루어진 청구원인과 공통되는 주장에 관하여 선행 확정심결의 기본이 된 이유와 실질적으로 저촉되는 판단을 하는 것은 구 특허법 제163조가 정한 일사부재리 원칙의 취지에 비추어 허용되지 않는다. 3. ‘담장 모양의 Fin액티브 영역(구성요소 2)’의 청구범위 해석 ‘Fin액티브 영역’은 이중-게이트 FinFET 소자에서 전류가 흐르는 채널이 되는 실리콘 구조물을 의미하는데, 이 사건 제1항 발명은 위 ‘Fin액티브 영역’의 형상을 ‘담장 모양’ 즉, 벌크 실리콘기판(2b) 위에 전류가 흐르는 길이 방향으로 길게 늘어선 폭이 좁고 높이가 높은 형상으로 한정하고 있다. 이와 같은 ‘담장 모양’은 앞서 본 바와 같이 그 단면의 형상을 특정한 모양으로 한정하는 것은 아니지만, 폭과 높이의 비율(종횡비)에 관하여는 어느 정도 한정하고 있다고 보아야 한다. 실제 담장의 폭과 높이는 구조적 안정성 등을 고려하여 결정하게 되고, 높이가 폭에 비해 충분히 크게 설계되는 것이 일반적이다. ‘담장 모양’의 ‘Fin액티브 영역’에 해당하기 위한 종횡비를 수치적으로 기준을 정하기는 어려우나, ‘담장 모양’이라는 한정 사항의 기술적 의의를 고려하면, 최소한 FinFET 구조에서 Fin액티브 영역의 돌출구조의 양쪽 측벽이 주 채널영역이 되어 소자의 문턱전압을 동적(dynamically)으로 변화시킬 수 있는 정도의 충분히 큰 종횡비를 요한다고 해석함이 타당하다. 4. 이 사건 제1항 발명의 신규성 또는 진보성 부정 여부에 관한 판단 이 사건 제1항 발명은 선행발명 1, 3, 8 각각에 의해 신규성 또는 진보성이 부정된다. 선행발명 1, 3, 8과 이 사건 제1항 발명의 각 구성요소 대비 관계에서 주된 쟁점이 되는 구성요소는 ‘구성요소 2(담장 모양의 Fin액티브 영역)’인데, 담장 모양의 Fin액티브 영역에 관한 위 청구범위 해석을 전제로 하였을 때 선행발명 1, 3, 8은 모두 구성요소 2를 포함하고 있다고 봄이 타당하다. 5. 이 사건 제8항 발명의 진보성 부정 여부에 관한 판단 이 사건 제1항 발명은 선행발명 1에 선행발명 4를 결합하여 진보성이 부정된다. 이 사건 제8항 발명은 이 사건 제1항 발명의 종속항으로 ‘Fin액티브 영역 양쪽에 게이트와 자기정렬 형태로 기생저항을 줄이기 위해 형성된 선택적 에피층(18)을 성장한 것’을 특징으로 하는 발명이다. 그런데 선택적 에피택셜 성장(Selective Epitaxial Growth) 기술은 실리콘 등의 시드 레이어(Seed-Layer)에 선택적으로 결정 격자 형태의 구성을 자라게 하는 방식으로 이 사건 특허발명의 출원일 이전에 반도체 업계에서 널리 사용되었던 기술이다. 소스/드레인 영역에서 선택적 에피층을 성장하는 것도 이 사건 특허발명의 출원일 이전에 흔히 사용되던 방식이었다. 기존에 잘 알려지지 않은 새로운 구조에 에피층을 성장시켜 새로운 기능이나 기술적 효과를 제공하는 것은 통상의 기술자에게 어려운 일일 수 있으나, 이 사건 제8항 발명은 벌크 FinFET 소자의 Fin 액티브 영역의 양쪽에 기생저항을 줄이기 위해 선택적 에피층을 형성하는 것을 특징으로 하는데, 이와 같이 벌크 FinFET 소자의 Fin액티브 영역의 양쪽에 기생저항을 줄이기 위해 선택적 에피층을 형성할 수 있음은 선행발명 4에 이미 개시된 것이므로, 이러한 상황에서 통상의 기술자가 선행발명 4에 개시된 선택적 에피층을 선행발명 1과 같은 벌크 FinFET에 적용하여 Fin 액티브 영역의 양쪽에 기생저항을 줄이기 위해 선택적 에피층을 형성하는 것에는 별다른 어려움이 없다고 봄이 타당하다. 6. 이 사건 제14항 발명의 진보성 부정 여부에 관한 판단 이 사건 제14항 발명은 신규성 또는 진보성이 부정되지 않는다. 이 사건 제14항 발명은 이 사건 제1항 발명의 종속항으로 ‘Fin액티브 영역의 폭이 벌크 실리콘기판에 가까워지면서 산화막 내에서 넓어져 상기 Fin액티브 영역의 저항이 줄어드는 것’을 특징으로 하는 발명이다. 선행발명 1, 3, 8과 선행발명 2, 9의 기술사상의 차이에 비추어 볼 때, 다른 선행기술에서의 명확한 가르침이나 분명한 동기가 인정되지 않는 이 사건에서, 사후적으로 고찰하지 않고는 선행발명 2와 9에서 산화막 내에서 폭이 넓어지는 부분만을 따로 떼어내어 선행발명 1에 결합하는 것이 어렵다고 판단된다. |
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